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2SC5919R

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2SC5919R 技術參數

2SC5916TLR 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC5916TLQ 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SC5888 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SC5880TV2R 功能描述:TRANS NPN 60V 2A 3-PIN ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SC5880TV2Q 功能描述:TRANS NPN 60V 2A 3-PIN ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-H 2SC59930P 2SC59930Q 2SC5994-TD-E 2SC6010(T2MITUM,FM 2SC6011 2SC6011A 2SC6017-E 2SC6017-TL-E 2SC6017-TL-EX 2SC6023-TR-E 2SC6024-TL-E 2SC6026CTGRTPL3 2SC6026CT-Y(TPL3) 2SC6026MFVGR,L3F 2SC603600L 2SC6036G0L