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2SD1693.

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2SD1693. 技術參數
  • 2SD1685G 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):280 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SD1685F 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SD1683T 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SD1683S 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126ML 標準包裝:200 2SD1664T100R 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1758TLQ 2SD1758TLR 2SD1759TL 2SD1760TLP 2SD1760TLQ 2SD1760TLR 2SD1763AE 2SD1766T100P 2SD1766T100Q 2SD1766T100R 2SD1767T100Q 2SD1767T100R 2SD1768STPQ 2SD1768STPR 2SD1773 2SD1781KT146Q 2SD1781KT146R 2SD1782KT146Q
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