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2SD1755P

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2SD1755P 技術參數

2SD1733TLR 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD1733TLQ 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD1733TLP 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD17070P 功能描述:TRANS NPN 80V 20A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 2A，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 3A，2V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SD17050P 功能描述:TRANS NPN 80V 10A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:130 @ 3A，2V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SD1760TLR 2SD1763AE 2SD1766T100P 2SD1766T100Q 2SD1766T100R 2SD1767T100Q 2SD1767T100R 2SD1768STPQ 2SD1768STPR 2SD1773 2SD1781KT146Q 2SD1781KT146R 2SD1782KT146Q 2SD1782KT146R 2SD1785 2SD1796 2SD1801S-E 2SD1801S-TL-E