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2SD1785.

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2SD1785. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SD1785. 技術參數

2SD1785 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 3mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:3,750 2SD1782KT146R 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD1782KT146Q 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:120MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD1781KT146R 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD1781KT146Q 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD1803S-E 2SD1803S-H 2SD1803S-TL-E 2SD1803S-TL-H 2SD1803T-E 2SD1803T-H 2SD1803T-TL-E 2SD1803T-TL-H 2SD1805F-E 2SD1805F-TL-E 2SD1805G-E 2SD1805G-TL-E 2SD1815S-E 2SD1815S-H 2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-H 2SD1815T-E 2SD1815T-H