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2SD1803.

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2SD1803. 技術參數
  • 2SD1802T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1802T-E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):0.5mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1802S-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:1 2SD1802S-E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):0.5mV @ 100mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SD1801T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SD1805F-TL-E 2SD1805G-E 2SD1805G-TL-E 2SD1815S-E 2SD1815S-H 2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-H 2SD1815T-E 2SD1815T-H 2SD1815T-TL-E 2SD1815T-TL-H 2SD1816S-E 2SD1816S-H 2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-H 2SD1816T-E 2SD1816T-H 2SD1816T-TL-E
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