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2SD1837

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  • 2SD1837
    2SD1837

    2SD1837

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15094

  • SAY

  • TO-220

  • 2025+

  • -
  • 絕對裝原現(xiàn)貨

  • 2SD1837
    2SD1837

    2SD1837

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • N/A

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  • 假一罰十,百分百原裝正品,質(zhì)量保障

  • 2SD1837
    2SD1837

    2SD1837

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TOS

  • 原廠封裝

  • 15+

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  • 原裝正品,假一罰十

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2SD1837 技術(shù)參數(shù)
  • 2SD1835T-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:3-SSIP 供應(yīng)商器件封裝:3-NP 標準包裝:1 2SD1835T 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SD1835S-AA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:3-NP 標準包裝:1 2SD1835S 功能描述:TRANS NPN 50V 2A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:750mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:3-NP 標準包裝:500 2SD1834T100 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500μA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD1859TV2R 2SD1861TV2 2SD1862TV2Q 2SD1862TV2R 2SD1863TV2Q 2SD1863TV2R 2SD1864TV2Q 2SD1864TV2R 2SD1866TV2 2SD1867TV2 2SD1898T100P 2SD1898T100Q 2SD1898T100R 2SD1913S 2SD1918TLQ 2SD1938FSL 2SD1938FTL 2SD1949T106Q
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