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2SD2150-R/S

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  • 2SD2150-R/S
    2SD2150-R/S

    2SD2150-R/S

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD637JN

  • SOT89

  • 21+

  • -
  • ALTERA.XILINX代理指定授權分...

  • 2SD2150-R/S
    2SD2150-R/S

    2SD2150-R/S

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • ROHM

  • SOT-89

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SD2150-R/S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
2SD2150-R/S 技術參數
  • 2SD2144STPW 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1200 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:2,000 2SD2144STPV 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SPT/SC-72 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SD2144STPU 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 10mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD2143TL 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:CPT3 標準包裝:1 2SD2142KT146 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2177A0A 2SD21780RA 2SD21780SA 2SD21790RA 2SD21840RA 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L
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