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2SD2170-P

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2SD2170-P 技術參數

2SD2167T100P 功能描述:TRANS NPN 31V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:31V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2153T100W 功能描述:TRANS NPN 25V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2153T100V 功能描述:TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2153T100U 功能描述:TRANS NPN 25V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 20mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:820 @ 500mA，6V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:110MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2150T100S 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:290MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L 2SD2216J0L 2SD22200RA 2SD22250RA 2SD2226KT146V 2SD2226KT146W 2SD2227STPW