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2SD2216J-R(TX)+/YR

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2SD2216J-R(TX)+/YR 技術參數

2SD2216J0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SS-MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SD2216G0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F3 標準包裝:1 2SD2212T100 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SD2211T100R 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2211T100Q 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1,000 2SD2257(CANO,Q,M) 2SD2257(Q,M) 2SD2257,KEHINQ(J 2SD2257,NIKKIQ(J 2SD2257,Q(J 2SD22580RA 2SD225900A 2SD2264TV2R 2SD2318TLU 2SD2318TLV 2SD23210RA 2SD2345GSL 2SD2345JSL 2SD2351T106V 2SD2351T106W 2SD235800A 2SD2374AP 2SD23750P