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2SD2905

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2SD2905 技術參數
  • 2SD2707T2LV 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):300nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 1mA,5V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SD2705STP 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 4ma,2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:35MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD2704KT146 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):820 @ 4ma,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:35MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SD2703TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SD2702TL 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:TUMT3 標準包裝:1 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323 2SE6 2SE62 2SE89 2SEPC1000MX 2SEPC1000MX+S 2SEPC100MZ 2SEPC100MZ+TSS 2SEPC2700M 2SEPC2700M+T 2SEPC330MW 2SEPC330MW+TSS 2SEPC330MZ
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