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2SJ663

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2SJ663
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86500
SANYO
TO263
最新批號
-
一級代理原裝正品現貨！

2SJ663
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
700
SANYO
TO263
2012+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L

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制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

2SJ663 技術參數

2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262-3 標準包裝:50 2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75.5 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SJ655 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:136 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2090pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L