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2SJ666

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SJ666-DL-E
    2SJ666-DL-E

    2SJ666-DL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品公司現貨!

  • 2SJ666-DL-E
    2SJ666-DL-E

    2SJ666-DL-E

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • SANYO/三洋

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 2SJ666-DL-E
    2SJ666-DL-E

    2SJ666-DL-E

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 9000

  • SANYO

  • TO-263

  • 05+

  • -
  • 原裝現貨/特價

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
2SJ666 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
2SJ666 技術參數
  • 2SJ665-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):77 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):38A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):38A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263-2 標準包裝:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):38A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262-3 標準包裝:50 2SJ656 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75.5 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4200pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220ML 標準包裝:100 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L
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