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2SJ668-Z

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  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8277481983249326

    地址：銷(xiāo)售一部：華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟401室 銷(xiāo)售二部：深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 18530

  • NEC

  • TO-252

  • 20+

  • -

  • 公司常備大量原裝現(xiàn)貨，價(jià)優(yōu)！

  • 2SJ668-Z
    2SJ668-Z

    2SJ668-Z

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 9866

  • NEC

  • TO-252

  • 08+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
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2SJ668-Z 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ668(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:U-MOSIII 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2.5A，10V 工作溫度:150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2SJ665-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:27A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:77 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:SMP-FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SJ661-DL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:SMP-FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SJ661-DL-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 2SJ661-1E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 38A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4360pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E
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