欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<abbr id="6ycom"></abbr>

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > 2字母型號搜索 >

2SJK1919

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " 2SJK1919 " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L 2SK0615 2SK06620RL 2SK06630RL 2SK0663GRL 2SK066400L 2SK0664G0L

2SJK1919 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SJK1919 技術(shù)參數(shù)

2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH 20V 20A TO-252 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 10A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252（MP-3ZK）標準包裝:1 2SJ683-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 65A ZP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:65A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15500pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ZP 標準包裝:1 2SJ681(Q) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD2 標準包裝:200 2SJ673-AZ 功能描述:MOSFET P-CH 60V 36A TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 隔離片供應(yīng)商器件封裝:TO-220 隔離的標片標準包裝:500 2SJ668(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:U-MOSIII 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:700pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:170 毫歐 @ 2.5A，10V 工作溫度:150°C 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,000 2SK066500L 2SK0665G0L 2SK1058-E 2SK11030QL 2SK1119(F) 2SK122800L 2SK1317-E 2SK1339-E 2SK1340-E 2SK1341-E 2SK1342-E 2SK137400L 2SK1374G0L 2SK1518-E 2SK1775-E 2SK1828TE85LF 2SK1829TE85LF 2SK1835-E