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2SK1467/KC

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  • 2SK1467/KC
    2SK1467/KC

    2SK1467/KC

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK1467/KC
    2SK1467/KC

    2SK1467/KC

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK1467/KC
    2SK1467/KC

    2SK1467/KC

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 15+

  • -
  • 質量保障假一罰十

  • 2SK1467/KC
    2SK1467/KC

    2SK1467/KC

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • SANYO

  • SOT-89

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

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2SK1467/KC 技術參數
  • 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 歐姆 @ 10mA,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 歐姆 @ 10mA,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1342-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1730pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1341-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):980pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1340-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):740pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK208-GR(TE85L,F) 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ)
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