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2SK2158-T2B-A/JM

配單專家企業名單

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價格
說明
操作

2SK2158-T2B-A/JM
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
NEC
SOT23-3
22+
-
全新原裝現貨供應

2SK2158-T2B-A/JM
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
RENESAS
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK2158-T2B-A/JM
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
2478
RENESAS
SOT23-3
11+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

2SK2158-T2B-A/JM
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
858
NEC
SOT-23
2012+
-
只做原裝正品

1/1頁 40條/頁共22條
1

您是不是要找： 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q)

2SK2158-T2B-A/JM PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK2158-T2B-A/JM 技術參數

2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙）電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:10V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)