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2SK3325B-Z

配單專家企業名單
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  • 2SK3325B-ZK
    2SK3325B-ZK

    2SK3325B-ZK

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 17895

  • NEC

  • TO-263

  • 2024+

  • -
  • 絕對裝原現貨

  • 2SK3325B-ZK
    2SK3325B-ZK

    2SK3325B-ZK

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • 2SK3325B-ZK
    2SK3325B-ZK

    2SK3325B-ZK

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • NEC

  • TO-263

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 2SK3325B-ZK-E1
    2SK3325B-ZK-E1

    2SK3325B-ZK-E1

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人:

    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 2400

  • RENESAS

  • TO-263

  • 13+

  • -
  • 全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

  • 2SK3325B-ZK
    2SK3325B-ZK

    2SK3325B-ZK

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • NEC

  • 專業經營三極管 貨源充足 品質保證

  • TO-263

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2SK3325B-ZK
    2SK3325B-ZK

    2SK3325B-ZK

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • TO-263

  • NEC

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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2SK3325B-Z 技術參數
  • 2SK3320-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-GR(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3320-BL(TE85L,F 功能描述:JFET DUAL N-CH USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):6mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):200mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供應商器件封裝:USV 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3318 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):460 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 20V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SK3313(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2040pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L
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