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2SK3390IX03UB

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2SK3390IX03UB 技術參數

2SK3388(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-97 供應商器件封裝:TFP（9.2x10.7）標準包裝:1,500 2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GTL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GSL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3372GRL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M)