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2SK3430-Z-E1-AZ

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 2SK3430-Z-E1-AZ
    2SK3430-Z-E1-AZ

    2SK3430-Z-E1-AZ

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 61322

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-220-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
2SK3430-Z-E1-AZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
  • 制造商
  • renesas electronics america
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 80A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 7.3 毫歐 @ 40A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • -
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 50nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 2800pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220AB
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
2SK3430-Z-E1-AZ 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3430-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK34260TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3403(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標(biāo)片 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FL 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3388(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-97 供應(yīng)商器件封裝:TFP（9.2x10.7） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:20V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:107μA @ 2V 漏極電流（Id） - 最大值:2mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E
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