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2SK3438

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  • 2SK3438
    2SK3438

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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  • 865000

  • TOSHIBA

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  • 2SK3438(TE24L)
    2SK3438(TE24L)

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  • 深圳市深科創科技有限公司
    深圳市深科創科技有限公司

    聯系人:吳先生/吳小姐/朱先生

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    地址:深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票

  • 7500

  • TOSHIBA/東芝

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  • 全新原裝現貨 渠道優勢庫存 假一罰十

  • 2SK3438
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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原廠原裝

  • 18+

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  • 原裝正品,優勢供應

  • 2SK3438(TE24L)
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  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3020

  • TOSHIBA

  • SC97

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  • 制造商
  • TOSHIBA
  • 制造商全稱
  • Toshiba Semiconductor
  • 功能描述
  • Silicon N Channel MOS Type DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
2SK3438 技術參數
  • 2SK3431-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 2SK3431-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 42A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 2SK3430-Z-E1-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 2SK3430-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.3 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 2SK34260TL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):107μA @ 2V 漏極電流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F
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