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2SK427U-SPA

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    2SK427U-SPA

    2SK427U-SPA

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • SANYO

  • SMD

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 2SK427U-SPA
    2SK427U-SPA

    2SK427U-SPA

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • TO92S

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK427U-SPA
    2SK427U-SPA

    2SK427U-SPA

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 50000

  • SANYO

  • SMD

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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2SK427U-SPA 技術參數
  • 2SK4222 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):23A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):340 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4221 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):26A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2250pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4210 功能描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4209 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.08 歐姆 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PB 標準包裝:100 2SK4198LS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.34 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):360pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FI(LS) 標準包裝:100 2SK715V 2SK715V-AC 2SK715W 2SK715W-AC 2SK771-5-TB-E 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M
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