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2SK596SC

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2SK596SC 技術參數
  • 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):150μA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4.1pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100μA @ 5V 漏極電流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4.1pF @ 5V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):60μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1.5V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1.7pF @ 10V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 歐姆 @ 10mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SK536-MTK-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 2SK772E-AC 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3
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