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2SK715-V-U

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2SK715-V-U 技術參數

2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715V 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715U-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:7.3mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715U 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:7.3mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02