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2SK853A-T1

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK853A-T1-A
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
26293
Renesas Electronics Ameri
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

2SK853A-T1-A
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
NEC
SOT-323
2014+
-
全新原裝現貨

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您是不是要找： 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01

2SK853A-T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK853A-T1 技術參數

2SK772E-AC 功能描述:JFET N-CH 20MA 300MW 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK771-5-TB-E 功能描述:JFET N-CH 20MA 200MW SCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK715W-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SK715W 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:500 2SK715V-AC 功能描述:JFET N-CH 50MA 300MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,500 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12