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3SK317ZR-TL-E

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3SK317ZR-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
RENESAS
SOT343
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3SK317ZR-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
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聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
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Renesas Electronics Ameri
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3SK317ZR-TL-E
深圳市百潤電子有限公司
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聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
27000
RENESAS
SOT343
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制造商
RENESAS
制造商全稱
Renesas Technology Corp
功能描述
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier

3SK317ZR-TL-E 技術參數

3SK294(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK293(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:800MHz 增益:22dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.5dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK292(TE85R,F) 功能描述:MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 3SK291(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:800MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.5dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 3SK264-5-TG-E 功能描述:FET RF 15V 200MHZ CP4 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:200MHz 增益:23dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.2dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:4-CP 標準包裝:1 3SMAJ5917B-TP 3SMAJ5918B-TP 3SMAJ5919B-TP 3SMAJ5920B-TP 3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5922B-TP 3SMAJ5923B-TP 3SMAJ5924B-TP 3SMAJ5925B-TP 3SMAJ5926B-TP 3SMAJ5927B-TP 3SMAJ5928B-TP 3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5930B-TP 3SMAJ5931B-TP 3SMAJ5932B-TP 3SMAJ5933B-TP 3SMAJ5934B-TP