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3SM-200

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3SM-200 技術參數

3SM2 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:92pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 3SM0 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2000V 不同?Vr，F 時的電容:92pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 3SK294(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK293(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:800MHz 增益:22dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.5dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK292(TE85R,F) 功能描述:MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 3SMAJ5919B-TP 3SMAJ5920B-TP 3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5922B-TP 3SMAJ5923B-TP 3SMAJ5924B-TP 3SMAJ5925B-TP 3SMAJ5926B-TP 3SMAJ5927B-TP 3SMAJ5928B-TP 3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5930B-TP 3SMAJ5931B-TP 3SMAJ5932B-TP 3SMAJ5933B-TP 3SMAJ5934B-TP 3SMAJ5935B-TP 3SMAJ5936B-TP