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5HP01C-TB

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

5HP01C-TB-F
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
SANYO
SOT23
22+
-
全新原裝現貨供應

5HP01C-TB-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANYO
原封裝
最新批號
-
一級代理,原裝正品現貨！

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1

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5HP01C-TB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

5HP01C-TB 技術參數

5HN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:生命周期結束標準包裝:3,000 5HN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMD 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:Not Recommended For New Designs 標準包裝:8,000 5HN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:8,000 5HN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5HN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5HQ221JBFAA 5HT 1 5HT 1.25 5HT 1.25-R 5HT 1.6 5HT 1.6-R 5HT 10 5HT 100-R 5HT 10-R 5HT 1-R 5HT 2 5HT 2.5 5HT 2.5-R 5HT 200-R 5HT 250-R 5HT 2-R 5HT 3.15 5HT 3.15-R