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5LP01C-TB-H

配單專家企業名單
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  • 封裝
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5LP01C-TB-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
5LP01C-TB-H 技術參數
  • 5LP01C-TB-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 標準包裝:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.8 歐姆 @ 50mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:1 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2
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