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5LP01SSTLE

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    5LP01SSTLE

    5LP01SSTLE

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 6500

  • SANYO

  • 原廠原裝

  • 1725+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • 5LP01SSTLE
    5LP01SSTLE

    5LP01SSTLE

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 10486

  • SANYO

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現貨,價格有優勢。

  • 5LP01SSTLE
    5LP01SSTLE

    5LP01SSTLE

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
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5LP01SSTLE 技術參數
  • 5LP01SP-AC 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 5LP01SP 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:500 5LP01M-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:要求報價 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5LP01M-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5LP01M-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V .07A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 歐姆 @ 40mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3 5M1210BCT 5M1210BCT-2 5M1210BCT-3 5M1220B
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