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6A1000V

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6A1000V 技術參數
  • 6A10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A1 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A08-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:100pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A08B-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:100pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A06-G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 6A R6 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):6A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:100pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R6,軸向 供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:250 6A10G B0G 6A10G R0G 6A10GHA0G 6A10GHB0G 6A10GHR0G 6A10-T 6A10TA 6A10-TP 6A11-A0121-001.0-0 6A11-A0121-002.0-0 6A11-A0121-003.0-0 6A11-A0121-004.0-0 6A11-A0121-005.0-0 6A11-A0121-006.0-0 6A11-A0121-007.0-0 6A11-A0121-008.0-0 6A11-A0121-009.0-0 6A11-A0121-010.0-0
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