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6HVM1214SN01

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6HVM1214SN01 技術參數

6HQ6R8DAADA 功能描述:6.8pF 500V 陶瓷電容器 N1500 徑向，圓盤 0.157" 直徑（4.00mm）制造商:avx corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期電容:6.8pF 容差:±0.5pF 電壓 - 額定:500V 溫度系數:N1500 安裝類型:通孔工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:通用等級:- 封裝/外殼:徑向，圓盤大小/尺寸:0.157" 直徑（4.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm）厚度（最大值）:- 引線間距:0.197"（5.00mm）特性:- 引線形式:直形標準包裝:2,500 6HP04MH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V .37A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:3,000 6HP04CH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 6HM89 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 6HM7-6 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:1 6KA24/4 6KA24-3HE3/54 6KA24-7000HE3/54 6KA24-E3/54 6KA24-E3/73 6KA24HE3/54 6KA24HE3/73 6KA24HE3_A/C 6KA24HE3_A/D 6KA24L-01HE3/72 6KA24L-2HE3/38 6KA24L-4HE3/72 6KA24L-6600HE3/2M 6KA24L-7001HE3/72 6LF22XWA/1SB 6LF22XWA/B 6LF22XWA/C 6LN04SS-TL-H