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80F-09

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80F-09 技術參數
  • 80EPS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.17V @ 80A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 80EPS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.17V @ 80A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 80EPF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.35V @ 80A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):480ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 80EPF10 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.35V @ 80A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):480ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 80EPF06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):80A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 80A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):190ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 80F12K1 80F12R1 80F133 80F13K3 80F13R3 80F150 80F150K 80F15K 80F15R 80F162 80F16K2 80F16R2 80F182 80F18K2 80F18R2 80F1K0 80F1K1 80F1K21
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