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8ETH06PF

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8ETH06PF 技術參數

8ETH06-1 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO262 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.4V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,000 8ETH06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.4V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,000 8ETH03S 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,000 8ETH03-1 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A TO262 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,000 8ETH03 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:FRED Pt? 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,000 8ETX06-1 8ETX06FP 8ETX06S 8ETX06STRL 8ETX06STRR 8EWF02S 8EWF02STR 8EWF02STRL 8EWF04S 8EWF04STRL 8EWF04STRR 8EWF06S 8EWF06STR 8EWF06STRL 8EWF06STRR 8EWF10S 8EWF10STRL 8EWF12S