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ALD110800SC

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  • 操作
  • ALD110800SCL
    ALD110800SCL

    ALD110800SCL

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • ALD110800SCL
    ALD110800SCL

    ALD110800SCL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 145

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • ALD
  • 制造商全稱
  • Advanced Linear Devices
  • 功能描述
  • QUAD/DUAL N-CHANNEL ZERO THRESHOLD EPAD MATCHED PAIR MOSET ARRAY
ALD110800SC 技術(shù)參數(shù)
  • ALD110800PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110800ASCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):10mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:16-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 ALD110800APCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 N 溝道,配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):10mV @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:16-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:16-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD1107SBL 功能描述:MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 P 溝道,配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:14-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:56 ALD1107PBL 功能描述:MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 P 溝道,配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:14-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:14-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL ALD110900APAL ALD110900ASAL ALD110900PAL ALD110900SAL ALD110902PAL ALD110902SAL ALD110904PAL ALD110904SAL ALD110908APAL ALD110908ASAL ALD110908PAL ALD110908SAL ALD110914PAL ALD110914SAL
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