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ALD1110ESA

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  • 封裝
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  • ALD1110ESAL
    ALD1110ESAL

    ALD1110ESAL

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質:營業執照

  • 99000

  • GAOYI/高怡電子

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • ALD1110ESA
    ALD1110ESA

    ALD1110ESA

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 220

  • ALD

  • SMD8

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
ALD1110ESA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • ALD
  • 制造商全稱
  • Advanced Linear Devices
  • 功能描述
  • QUAD/DUAL ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ANALOG DEVICE (EPAD⑩)
ALD1110ESA 技術參數
  • ALD1110EPAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD110914SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD110914PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.42V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD110908SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):820mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD110908PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12mA,3mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 4.8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):820mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD111910PAL ALD111910SAL ALD111933MAL ALD111933PAL ALD111933SAL ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL
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