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ALD1116PAL

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ALD1116PAL
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9943
Advanced
DIP
12+
-
絕對公司原裝現貨

ALD1116PAL
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

ALD1116PAL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
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全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET Dual N-Channel Pair
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD1116PAL 技術參數

ALD1115SAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1115PAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1115MAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:50 ALD1110ESAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1110EPAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118