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ALD1120ESA

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  • ALD1120ESA
    ALD1120ESA

    ALD1120ESA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • ALD

  • SMD8

  • 02+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • ALD1120ESA
    ALD1120ESA

    ALD1120ESA

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • ALD

  • SMD8

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • ALD1120ESA
    ALD1120ESA

    ALD1120ESA

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 300

  • ALD

  • SMD8

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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ALD1120ESA 技術參數
  • ALD112 功能描述:General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole 制造商:panasonic electric works 系列:ALD 包裝:管件 零件狀態:過期 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:16.7mA 線圈電壓:12VDC 觸頭外形:SPST-NO(1 A 型) 額定接觸(電流):3A 開關電壓:277VAC,30VDC - 最大 導通電壓(最大值):9 VDC 關閉電壓(最小值):0.6 VDC 工作時間:10ms 釋放時間:10ms 特性:- 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 觸頭材料:銀鎳(AgNi) 線圈功率:200 mW 線圈電阻:720 歐姆 工作溫度:-40°C ~ 70°C 標準包裝:50 ALD111933SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD111933PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD111933MAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5.9V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.35V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:50 ALD111910SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:50 ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L
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