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ALD114904ASAL

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ALD114904ASAL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
105
ADVANCED
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD114904ASAL 技術參數

ALD114904APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 3.6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:380mV @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD114835SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 歐姆 @ 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD114835PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:540 歐姆 @ 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.45V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD114813SCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:48 ALD114813PCL 功能描述:MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:4 N 溝道，配對 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 2.7V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.26V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL ALD11G48-SL ALD124 ALD12A48-6L ALD12A48-L ALD12A48N-6L ALD12A48N-L ALD12A48N-SL ALD12A48-SL ALD13Y48-6L ALD13Y48-L ALD13Y48N-6L ALD13Y48N-L ALD13Y48N-SL ALD13Y48-SL ALD14H