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AO4422L

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  • AO4422L
    AO4422L

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • AO4422L
    AO4422L

    AO4422L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • AO4422L
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • AO4422L
    AO4422L

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門(mén)外大街9號(hào)樓603室

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AO4422L 技術(shù)參數(shù)
  • AO4421L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 6.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4421 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 6.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4420A 功能描述:MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 13.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4050pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4419L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4419_003 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450
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