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AO4468/AO4408

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AO4468/AO4408 技術(shù)參數(shù)

AO4468 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4466_102 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:448pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4466 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:448pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4459L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:830pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4459 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:830pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4480 AO4482 AO4482L_102 AO4484 AO4484_101 AO4485 AO4485_102 AO4485L_102 AO4486 AO4488 AO4488L AO4488L_101 AO4490 AO4490L AO4492 AO4494 AO4494H AO4496