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AOI408

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  • AOI408
    AOI408

    AOI408

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • IPAK/TO-251

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AOI408 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AOI408 技術參數
  • AOI403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI296A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):89W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-251A 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 標準包裝:70 AOI294A 功能描述:MOSFET N-CH 100V 55A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):55A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):50nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2305pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):73W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-251A 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak 標準包裝:70 AOI423 AOI4286 AOI442 AOI444 AOI452A AOI468 AOI472A AOI482 AOI4C60 AOI4N60 AOI4S60 AOI4T60 AOI4T60P AOI4TL60 AOI508 AOI510 AOI514 AOI516
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