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AON6415

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AON6415 技術參數

AON6414G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:初步標準包裝:3,000 AON6414AL 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），31W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤標準包裝:3,000 AON6414A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6413 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2142pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6411_001 功能描述:MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:47A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10290pF @ 10V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L AON6450L_001 AON6452 AON6454A AON6454A_001 AON6458 AON6482 AON6484 AON6500 AON6500_001 AON6502 AON6504 AON6504_001 AON6506 AON6508