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AOTF12N50/L

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  • AOTF12N50/L
    AOTF12N50/L

    AOTF12N50/L

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • AOS

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AOTF12N50/L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
AOTF12N50/L 技術參數
  • AOTF12N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):520 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1633pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF12N30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 25V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF11S65L 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):399 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):646pF @ 100V 功率 - 最大值:31W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF11S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):399 毫歐 @ 3.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):399 毫歐 @ 3.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:50 AOTF12T60L AOTF12T60P AOTF12T60PL AOTF13N50 AOTF14N50 AOTF14N50FD AOTF15B60D AOTF15B60D2 AOTF15B65M1 AOTF15B65M2 AOTF15S60L AOTF15S65L AOTF16N50 AOTF18N65 AOTF18N65L AOTF190A60L AOTF20B65M1 AOTF20B65M2
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