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配單專(zhuān)家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠(chǎng)商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AOW10N65
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
I2PAK/TO-262
25+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOW10N65
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOS
TO-262
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

AOW10N65
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴(lài)先生
電話(huà)：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
118992
YXYBDT臺(tái)灣
TO-262
2025+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

AOW10N65
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：許先生
電話(huà)：18898761413
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬(wàn)代
TO-262
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AOW10N65
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話(huà)：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)45層4503B★公司為一般納稅人，可開(kāi)正規(guī)13%專(zhuān)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
59990
AO/萬(wàn)代
TO-262
17+
-
100%原裝，誠(chéng)信為本，等你咨詢(xún)！

AOW10N65
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
25450
AO/萬(wàn)代
TO-262
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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AOW10N65 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 650V 10A TO262
RoHS
是
類(lèi)別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類(lèi)型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOW10N65 技術(shù)參數(shù)

AOW10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線(xiàn)，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOV20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.6A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1038pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:4-DFN-EP（8x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOV15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:520mA（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:717pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:4-DFN-EP（8x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOV11S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:650mA（Ta），8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 3.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:4-DFN-EP（8x8）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOU7S65 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線(xiàn)，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290 AOW2918 AOW292 AOW296 AOW298 AOW29S50 AOW418 AOW-4542P-B-R AOW-4544L-C3310-B-R AOW-4544P-C3310-B-R

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