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APT-2012EC

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  • APT-2012EC
    APT-2012EC

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開(kāi)13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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APT-2012EC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
APT-2012EC 技術(shù)參數(shù)
  • APT2012EC 功能描述:Red 617nm LED Indication - Discrete 2V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 顏色:紅 透鏡顏色:無(wú)色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):8mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形,帶平頂,1.30mm x 1.25mm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2V 電流 - 測(cè)試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝 波長(zhǎng) - 主:617nm 波長(zhǎng) - 峰值:627nm 特性:- 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 長(zhǎng) x 1.25mm 寬 高度(最大值):0.75mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT2012CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 顏色:綠 透鏡顏色:無(wú)色 透鏡透明度:透明 毫燭光等級(jí):50mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形,帶平頂,1.30mm x 1.25mm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):2.1V 電流 - 測(cè)試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝 波長(zhǎng) - 主:570nm 波長(zhǎng) - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應(yīng)商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 長(zhǎng) x 1.25mm 寬 高度(最大值):0.75mm 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):8.65nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC APT2012ZGC/E APT2012ZGCK
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