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APT13GP120BDF1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • APT

  • TO247

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 13002

  • APT

  • 直插/貼片

  • 2024+

  • -
  • 代理商庫房現(xiàn)貨

  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • APT

  • TO

  • 07/08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • APT13GP120BDF1
    APT13GP120BDF1

    APT13GP120BDF1

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • APT

  • 價格優(yōu)勢

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APT13GP120BDF1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT13GP120BDF1 技術參數(shù)
  • APT13F120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):145nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4765pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):625W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 標準包裝:1 APT13F120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 14A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):145nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4765pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT13005T-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO220AB 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):900mV @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 APT13005TF-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 4A TO2203 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):900mV @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:28W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1,000 APT13005SU-G1 功能描述:TRANS NPN 450V 3.2A TO126 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3.2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 750mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:4,000 APT150GN120J APT150GN120JDQ4 APT150GN60B2G APT150GN60J APT150GN60JDQ4 APT150GN60LDQ4G APT150GT120JR APT15D100BCTG APT15D100BG APT15D100BHBG APT15D100KG APT15D120BCTG APT15D120BG APT15D120KG APT15D30KG APT15D40BCTG APT15D40KG APT15D60BCAG
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