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APT200GN60JDQ4MI

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APT200GN60JDQ4MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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您是不是要找： APT200GN60JG APT200GT60JR APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D

APT200GN60JDQ4MI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT200GN60JDQ4MI 技術參數

APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):600A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 功率 - 最大值:682W 開關能量:13mJ（開）， 11mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:1180nC 25°C 時 Td（開/關）值:50ns/560ns 測試條件:400V，200A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT19M120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9670pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D