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APT200GT60JR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT200GT60JR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專營優勢產品

APT200GT60JR
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT200GT60JR
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT200GT60JR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
98653
原廠
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

APT200GT60JR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
250
APT
100A/600V/IGBT/1U
2024+
-
全新現貨價格優勢

APT200GT60JR
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

APT200GT60JR
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
94
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APT200GT60JR
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
26550
正品封裝
23+
-
正規商現貨供應

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您是不是要找： APT2012CGCK APT2012EC APT2012F3C APT2012LSECK/J3-PRV APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC

APT200GT60JR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY - SING - Rail/Tube

APT200GT60JR 技術參數

APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):600A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 功率 - 最大值:682W 開關能量:13mJ（開）， 11mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:1180nC 25°C 時 Td（開/關）值:50ns/560ns 測試條件:400V，200A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC