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APT200GT60JRDL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • APT

  • MODULE

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9600

  • ISOTOP?/FONT>

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優勢供應

  • APT200GT60JRDL
    APT200GT60JRDL

    APT200GT60JRDL

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M

    資質:營業執照

  • 26550

  • APT

  • 正品封裝

  • 23+

  • -
  • 正規商現貨供應

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APT200GT60JRDL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube
APT200GT60JRDL 技術參數
  • APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):8.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT200GN60JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT200GN60J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.85V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):25μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC
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