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APT20SCD120S

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT20SCD120S
    APT20SCD120S

    APT20SCD120S

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 5

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • APT20SCD120S
    APT20SCD120S

    APT20SCD120S

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D3PAK,TO-268

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • APT20SCD120S
    APT20SCD120S

    APT20SCD120S

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 185

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
APT20SCD120S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE DIODE
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode Schottky 1.2KV 68A
APT20SCD120S 技術參數
  • APT20SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 68A (DC) 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):68A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.8V @ 20A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 1200V 不同?Vr,F 時的電容:1135pF @ 0V,1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT20N60SC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 13.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:30 APT20N60BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 13.1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):114nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2440pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M45BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG APT25GR120B APT25GR120BD15 APT25GR120BSCD10 APT25GR120S
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